Вакуумное технологическое оборудование
IGNIS-A

Универсальная настольная установка вакуумного напыления
Предназначена для нанесения многослойных покрытий из диэлектрических, полупроводниковых и проводящих материалов методом ВЧ магнетронного распыления с ассистированием плазмой индукционного или емкостного разряда
Некоторые области применения установки IGNIS-A:
-Нанесение просветляющих и антибликовых покрытий: SiO2, Si3N4, Nb2O5, TiO2, TiN, Al2O3 и др.
-Нанесение функциональные слоев датчиков и МЭМС: In2O5, SnO2, ZnO и др.
-Формирование биосовместимых функциональных покрытий.
-Подготовка образов для растровой электронной микроскопии.
Технические характеристики установки IGNIS-A
Система откачки:
- форвакуумный пластинчато-роторный насос (скорость откачки: 1,5 л/с);
- турбомолекулярный насос (скорость откачки: 300 л/с по Азоту);
- двухпозиционное дросселирование скорости откачки с автоматическим приводом;
- широкодиапазонный датчик вакуума.
Газовая система:
- 2 или 3 линии подачи газа с автоматизированными РРГ расходом до 50 см3/мин.
Технологические устройства:
-две ВЧ магнетронных распылительных системы - ORBIS2-RF с автоматическими заслонками;
-источник индукционного разряда - Mollis-ICP;
-вращающийся держатель подложек с ВЧ смещением - CARRIER-CCP;
-кварцевый измеритель толщины - PIEZO-01;
Габаритные размеры: 750х650х750 мм.
Технологические устройства установки IGNIS-A

ORBIS2-RF
ВЧ магнетронная распылительная система
Рабочая частота: 13,56 МГц
ВЧ мощность: 300 Вт
Диаметр мишени: 50 мм

Mollis ICP
Источник индукционного разряда
Рабочая частота: 13,56 МГц
Рабочая мощность: 300 Вт
Концентрация плазмы ne: 1011 – 1013 см-3

CARRIER-CCP
Держатель подложек с ВЧ смещением
Диаметр держателя: 150 мм
Мощность ВЧ смещения: 5-150 Вт
Мощность нагрева: До 1000 Вт
Маx поддерживаемая температура: до 300 оС
Маx скорость вращения: 90 об/мин

PIEZO-01
Автоматическая система кварцевого контроля толщины и скорости роста покрытия во время напыления.
Позволяет отслеживать скорость роста и толщину осаждаемого покрытия с точностью до 1 нм.